Thématiques abordées :

Analyse et modification des matériaux par faisceaux d’ions (essentiellement pour l’électronique)

Analyses RBS, ERDA, PIXE, NRA, CPA, canalisation

Implantations Haute Energie (MeV)

Caractéristiques techniques :
Van de Graaff 4 MV simple étage (KN4000)

Faisceaux :
• source d’ions : gaz (H, He, … Xe)
• courant : centaines microA
• aimant d’analyse : toutes les masses

3 lignes de faisceaux :
• L1: ligne implantation (chauffage –refroidissement, balayage, suppression neutres)
• L2 : faisceau pulsé 1 ns 17 kHz
• L3 : analyse (RBS, PIXE etc…) + canalisation : chambre analyse (passeur 30 échantillons), chambre RN, chambre canalisation en ligne avec l’implanteur

Laboratoire : InESS

Localisation : 23, rue du Lœss, BP 20, 67037 Strasbourg Cedex 2

Nom du correspondant : J.P. Stoquert

Coordonnées du correspondant :
Téléphone : 03 88 10 62 52

Mail : stoquert@iness.c-strasbourg.fr

Site web : www-iness.c-strasbourg.fr