Thématiques abordées :

Modification des matériaux par faisceaux d’ions (essentiellement pour l’électronique)

Implantations ioniques

Caractéristiques techniques :
Implanteur EATON 200kV MC

Faisceaux :
• Energies de quelques keV à 200 keV (ions 1+)
• source d’ions : gaz ou solide
• courant : jusqu’au mA
• balayage 4 pouces

en ligne avec l’accélérateur 4 MV (chambre d’implantation et d’analyse commune), possibilité de chauffage –refroidissement, équipé de balayage avec suppression des neutres.

Laboratoire : InESS

Localisation : 23, rue du Lœss, BP 20, 67037 Strasbourg Cedex 2

Nom du correspondant : J.P. Stoquert

Coordonnées du correspondant :
Téléphone : 03 88 10 62 52

Mail : stoquert@iness.c-strasbourg.fr

Site web : www-iness.c-strasbourg.fr