Thématiques abordées :

Dépôt de pâtes dopantes ou de silice :

"Spin On Glass" (SOG) pour le dépôt de couches de SiO2
"Spin On Dopant" (SOD) pour le dopage des semi-conducteurs avec du phosphore, du bore, de l'aluminium, etc.

Caractéristiques techniques :
Tournette pour les pâtes dopantes
- Taille maximale des échantillons : 4 pouces de diamètre ou 10 cm de côté
- Épaisseur maximale des échantillons : 3 mm
- Vitesse maximale : 5000 tours/minute
- Accélération maximale : 3000 tours/minute•s
- Programmation : possibilité de programmer jusqu'à 20 étapes de variation de la vitesse
- capot tournant à la même vitesse que l'échantillon

Laboratoire : InESS

Localisation : 23, rue du Lœss 67037 Strasbourg Cedex 2

Nom du correspondant : Stéphane ROQUES

Coordonnées du correspondant :
Téléphone : 03 88 10 68 84

Mail : stephane.roques@iness.c-strasbourg.fr

Site web : www-iness.c-strasbourg.fr