Thématiques abordées :

La croissance de couches anti-reflets SixNy:H pour les cellules photovoltaïques, avec possibilité d'en varier les propriétés (épaisseur, indice de réfraction, coefficient d'absorption ...) en modifiant les proportions des gaz et les paramètres du plasma
la croissance de couches d'oxydes SiOx
la croissance de couches d'oxynitrures SixNyOz
la passivation des défauts cristallins, y compris les liaisons pendantes, par hydrogénation
le décapage par plasma hydrogène
le dépôt de couches de silicium amorphe

Caractéristiques techniques :
Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ECR-PECVD
• Taille des échantillons : 4 pouces de diamètre ou 10 cm de côté
• Porte-échantillon : plaquette de Si de 6 pouces de diamètre
• Température du substrat : 50 à 500°C
• Gaz précurseurs : SiH4, N2O, Ar, H2, N2 et NH3
• Source micro-onde : 0 à 1000 W de puissance, courant de l'aimant de 5 A
• Source radiofréquence : 0 à 300 W de puissance, différence de potentiel entre l'anode et la cathode de 70 à 800 V
• Vide avant le dépôt : 2•10-7 mbar
• Vide pendant le dépôt : 10-3 à 10-2 mbar

Laboratoire : InESS

Localisation : 23, rue du Lœss, BP 20, 67037 Strasbourg Cedex 2

Nom du correspondant : Stéphane ROQUES

Coordonnées du correspondant :
Téléphone : 03 88 10 68 84

Mail : stephane.roques@iness.c-strasbourg.fr

Site web : www-iness.c-strasbourg.fr